半導體工藝混合廢氣處理工藝

發(fā)布日期：2022-10-25瀏覽次數(shù)：3999

　　半導體工藝混合廢氣處理方法

　　半導體工藝廢氣的主體是VOCs，同時廢氣中還混合了HCl、氨、HF等危險污染物。

　　目前，半導體廠廢氣處理方法一般采用吸附法、焚燒法或兩者結合的方法。從半導體生產現(xiàn)場揮發(fā)出的有機廢氣經就地排氣罩收集后，經管道送至吸附凈化系統(tǒng)。焚燒也是處理流量和濃度穩(wěn)定的廢氣的好方法。

　　也有部分半導體企業(yè)有機廢氣處理方法采用以下設備：

　　采用RTO設備處理

　　RTO蓄熱式氧化爐是在高溫下將可燃廢氣氧化成氧化物和水，凈化廢氣，并回收廢氣分解時所釋放出來的熱量，廢氣分解效率達到99%以上，熱回收效率達到95%以上。

　　直接燃燒法處理

　　有機廢氣風管廢氣收集→沸石轉輪吸附濃縮→直燃爐（TO）→煙囪排氣達標排放。

　　焚燒法也廣泛應用于半導體工業(yè)的各種有機廢氣處理，有機物通過熱氧化轉化為二氧化碳和水。由于半導體工業(yè)中的廢氣焚燒產生二氧化硅，二氧化硅鈍化催化劑，接觸氧化在半導體工業(yè)中應用較少。